06. MOSFET特性简单版，强调温度特性
MOSFET特性
MOSFET寄生电容模型图
| 符号 | 算式 | 含义 |
|---|---|---|
| Ciss | Cgs+Cgd | 输入容量 |
| Coss | Cds（main）+Cgd | 输出容量 |
| Crss | Cgd | 反馈容量 |
Cgd是反馈电容，Crss称为反向传输电容
Ciss在面对Vds的变化时，反应不是很明显，但是Coss跟Crss会有较大影响
温度特性
上面这三个玩意，在面对温度发生改变的时候，基本不受影响
关于MOSFET的开关及其温度特性
开关时间
栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF，这个延迟时间为开关时间，一般在规格书上记为下面的
（在算一些损耗，阶跃谐振会用到）
温度特性
温度上升的同时开关时间略微增加，但是100℃上升时增加10%成左右，几乎没有开关特性的温度依存性
关于MOSFET的Vgs（th）（界限值）
MOS管开启时，GS（栅极，源极）间的电压称为Vgs（th）
即，输入界限值以上的电压时，MOSFET为开启状态。
输入Vds=V时，使1mA电流通过Id所需的栅极界限值电压Id（th）为1.0V to 2.5V
Id--Vgs特性和温度特性
温度越高，所需导通的阈值电压越低，不太行这玩意
可能会误导通
补充
- G极(gate)—栅极，不用说比较好认
- S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
- D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边
