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08. MOSFET总栅极电荷Qg


08. MOSFET总栅极电荷Qg

#### 啥是总栅极电荷(Qg)

​ Qg是指: 为导通MOS而注入到栅极电极的电荷量。也称为栅极总电荷,单位为库仑(C)

​ 总栅极电荷值较大,则导通MOS所需的电容充电时间变,开关损耗增加,数值越小,开关损耗(切换损耗)越小,从而可实现高速开关。

总栅极电荷和导通电阻

总栅极电荷越小,开关损耗越小。而且,导通电阻值越小,工作时的功耗越小。

​ 但需要注意的是,这俩的特性处于权衡关系,MOS的芯片尺寸(表面积)越小,总电荷量越小,但导通电阻值会变大,换句话说: 开关损耗与工作时的功耗之间存在权衡关系

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比较复杂,暂时只要知道这个总栅极电荷与损耗,开关速度有关就行


文章作者: LS
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