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07. MOSFET导通电阻特性 07. MOSFET导通电阻特性
0.7 MOSFET导通电阻特性 啥是导通电阻 ​ MOS管工作时，漏极跟源极之间的阻值称为导通电阻（RDS(ON)) ​ 数值越小，工作时损耗（功率损耗）越小。 关于导通电阻的电气特性 ​ 晶体管的消耗功率用集电极饱和电压（V
2024-06-22 随笔
电子器件 文天祥
06. MOSFET特性简单版，强调温度特性 06. MOSFET特性简单版，强调温度特性
06. MOSFET特性简单版，强调温度特性 MOSFET特性 MOSFET寄生电容模型图 image-20240622222006942 符号 算式 含义 Ciss Cgs+Cgd
2024-06-22 随笔
电子器件 文天祥
04.数字晶体管的原理 04.数字晶体管的原理
04+05.数字晶体管的原理 image-20240621222247268 这就是数字晶体管，里面加了俩内置电阻，（TR指的是晶体管，中间是集电极B，下面是发射极E，上面是集电极C） 饱和条件 要使晶体管达到饱
2024-06-21 随笔
电子器件 文天祥
初识图纸 初识图纸
初识图纸 image-20240816082415415 φ：直径 R：半径 M50：普通外螺纹；M代表的是普通螺纹，50代表螺纹的大径，也就是公称直径 螺纹式双线，这个外螺纹，螺纹的牙顶线就是大径粗直线，里面
2024-06-21 随笔
图纸
02.晶体管截止频率定义和反向漏电流 02.晶体管截止频率定义和反向漏电流
02.晶体管截止频率定义和反向漏电流 关于晶体管ON时的逆向电流（E--->C） 这个对于NPN型的来说，E-C是逆向的， image-20240611212018881 ​ 基极B被偏置为正，集电极C被偏置为负
2024-06-11 随笔
电子器件 文天祥
03.晶体管分类概述 03.晶体管分类概述
03.晶体管分类概述 晶体管的代表形状 TO/SMT image-20240611213213155 根据工作原理，分为双极晶体管和单极晶体管 image-20240611213250901 双极晶体管
2024-06-11 随笔
电子器件 文天祥
01.晶体管的由来及内置电阻晶体管 01.晶体管的由来及内置电阻晶体管
01 晶体管的由来及内置电阻晶体管 材料 ​ 从锗（80℃左右发生损害）到硅（180℃） 作用 ​ 增幅和开关 ​ 增幅：不改变输入信号的波形，只放大电压或电流，指模拟信号 ​ 开关：在数字信号中，晶体管起着切换0和1的开关
2024-06-11 随笔
电子器件 文天祥
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