LSDXZ

07. 重新计算输出侧电感值和电容值首先根据设计要求，计算出占空比，选择对应的开关控制策略，及其相应的纹波计算公式设计要求输出侧电感值根据新的纹波公式重新计算电感参数：关于这个电感电流纹波值8

2024-07-12 电力电子基础

木修于淋三电平DCDC

02. 工作状态分析有且仅有四种开关状态电感上的电流是不可以突变的，所以当S1,4关断后，电流通过二极管续流，而不是经过开关管这里电流到了B为啥不往上经过二极管，因为：电流更容易往低电位流，上面那电位

2024-07-11 电力电子基础

木修于淋三电平DCDC

03. 确定最终的两个调制状态 image-20240711160439391 常用的载波形状： image-20240711162201850 红色的横线为调制信号，大于则为高电平，小于为低电平第一

2024-07-11 电力电子基础

木修于淋三电平DCDC

04. 载波调制过程详细分析 image-20240712101818471 设C为t2将其分成两份，为使两电容电位平衡，可得b的时间也为t2，由S101110 可得载波为等腰三角波，被调制信号所截，为010 。

2024-07-11 电力电子基础

木修于淋三电平DCDC

01. 三电平DCDC拓扑结构介绍单相三电平DCDC变换器-Buck-主电路结构 U1为输入电压，U2为输出电压，C12为分压电容，每个电容的电压为1/2；四个开关管，（都用的双向的，所以可以实现能量的双向流动）；下面的图把电

2024-07-09 电力电子基础

木修于淋三电平DCDC

08. MOSFET总栅极电荷Qg #### 啥是总栅极电荷（Qg） Qg是指：为导通MOS而注入到栅极电极的电荷量。也称为栅极总电荷，单位为库仑(C) 总栅极电荷值较大，则导通MOS所需的电容充电时间变长，开关损耗增加

2024-06-28 随笔

电子器件文天祥

09+10. SOA安全使用晶体管的选定方法判断流程 1. 测定实际的电流、电压波形用示波器确定晶体管上的电压电流，需要全部满足规格书上记载的额定值，特别应该确认下列项目晶体管的种类电压电流

2024-06-28 随笔

电子器件文天祥

06. MOSFET特性简单版，强调温度特性 MOSFET特性 MOSFET寄生电容模型图 image-20240622222006942 符号算式含义 Ciss Cgs+Cgd

2024-06-22 随笔

电子器件文天祥

0.7 MOSFET导通电阻特性啥是导通电阻 MOS管工作时，漏极跟源极之间的阻值称为导通电阻（RDS(ON)) 数值越小，工作时损耗（功率损耗）越小。关于导通电阻的电气特性晶体管的消耗功率用集电极饱和电压（V

2024-06-22 随笔

电子器件文天祥

【LLC变换器设计基础】第三节 ZCS|并联谐振|LLC的谐振分析|Q品质因数的正解 1.ZCS的理解对于MOSFET而言，ZCS用的比较少，ZVS会比较多，那么ZCS会用在IGBT里面比较多，IGBT在关断的时候有个拖尾的现

2024-06-21 电力电子基础

硬核博士老J LLC ZCS

初识图纸 image-20240816082415415 φ：直径 R：半径 M50：普通外螺纹；M代表的是普通螺纹，50代表螺纹的大径，也就是公称直径螺纹式双线，这个外螺纹，螺纹的牙顶线就是大径粗直线，里面

2024-06-21 随笔

图纸

04+05.数字晶体管的原理 image-20240621222247268 这就是数字晶体管，里面加了俩内置电阻，（TR指的是晶体管，中间是集电极B，下面是发射极E，上面是集电极C）饱和条件要使晶体管达到饱

2024-06-21 随笔

电子器件文天祥