08. MOSFET总栅极电荷Qg #### 啥是总栅极电荷（Qg） ​ Qg是指： 为导通MOS而注入到栅极电极的电荷量。也称为栅极总电荷，单位为库仑(C) ​ 总栅极电荷值较大，则导通MOS所需的电容充电时间变长，开关损耗增加

09+10. SOA安全使用晶体管的选定方法 判断流程 1. 测定实际的电流、电压波形 ​ 用示波器确定晶体管上的电压电流，需要全部满足规格书上记载的额定值，特别应该确认下列项目 晶体管的种类 电压 电流

06. MOSFET特性简单版，强调温度特性 MOSFET特性 MOSFET寄生电容模型图 image-20240622222006942 符号 算式 含义 Ciss Cgs+Cgd

0.7 MOSFET导通电阻特性 啥是导通电阻 ​ MOS管工作时，漏极跟源极之间的阻值称为导通电阻（RDS(ON)) ​ 数值越小，工作时损耗（功率损耗）越小。 关于导通电阻的电气特性 ​ 晶体管的消耗功率用集电极饱和电压（V

【LLC变换器设计基础】第三节 ZCS|并联谐振|LLC的谐振分析|Q品质因数的正解 1.ZCS的理解 ​ 对于MOSFET而言，ZCS用的比较少，ZVS会比较多，那么ZCS会用在IGBT里面比较多，IGBT在关断的时候有个拖尾的现

初识图纸 image-20240816082415415 φ：直径 R：半径 M50：普通外螺纹；M代表的是普通螺纹，50代表螺纹的大径，也就是公称直径 螺纹式双线，这个外螺纹，螺纹的牙顶线就是大径粗直线，里面

04+05.数字晶体管的原理 image-20240621222247268 这就是数字晶体管，里面加了俩内置电阻，（TR指的是晶体管，中间是集电极B，下面是发射极E，上面是集电极C） 饱和条件 要使晶体管达到饱

【LLC变换器设计基础】第二节 谐振变换器ZVS原理 1. 电感电容模式 ​ 搞谐振电路的目的就是为了实现 ZVS ZCS image-20240618204118539 ​ 负载越重，gain越陡，越窄，Re越小，Q

【LLC变换器设计基础】第一节 谐振腔分类 等效负载和串联谐振 1.谐振腔分类 image-20240613100012343 ​ 串联 并联（不是那种L与C并到一块的） LCC LLC 2.等效负载计算 i

01 晶体管的由来及内置电阻晶体管 材料 ​ 从锗（80℃左右发生损害）到硅（180℃） 作用 ​ 增幅和开关 ​ 增幅：不改变输入信号的波形，只放大电压或电流，指模拟信号 ​ 开关：在数字信号中，晶体管起着切换0和1的开关

03.晶体管分类概述 晶体管的代表形状 TO/SMT image-20240611213213155 根据工作原理，分为双极晶体管和单极晶体管 image-20240611213250901 双极晶体管

02.晶体管截止频率定义和反向漏电流 关于晶体管ON时的逆向电流（E--->C） 这个对于NPN型的来说，E-C是逆向的， image-20240611212018881 ​ 基极B被偏置为正，集电极C被偏置为负