07. 重新计算输出侧电感值和电容值 ​ 首先根据设计要求，计算出占空比，选择对应的开关控制策略，及其相应的纹波计算公式 设计要求 输出侧电感值 根据新的纹波公式重新计算电感参数： 关于这个电感电流纹波值8

02. 工作状态分析 有且仅有四种开关状态 ​ 电感上的电流是不可以突变的，所以当S1,4关断后，电流通过二极管续流，而不是经过开关管 ​ 这里电流到了B为啥不往上经过二极管，因为：电流更容易往低电位流，上面那电位

03. 确定最终的两个调制状态 image-20240711160439391 常用的载波形状： image-20240711162201850 红色的横线为调制信号，大于则为高电平，小于为低电平 第一

04. 载波调制过程详细分析 image-20240712101818471 ​ 设C为t2将其分成两份，为使两电容电位平衡，可得b的时间也为t2，由S101110 可得载波为等腰三角波，被调制信号所截，为010 。

01. 三电平DCDC拓扑结构介绍 单相三电平DCDC变换器-Buck-主电路结构 U1为输入电压，U2为输出电压，C12为分压电容，每个电容的电压为1/2；四个开关管，（都用的双向的，所以可以实现能量的双向流动）；下面的图把电

08. MOSFET总栅极电荷Qg #### 啥是总栅极电荷（Qg） ​ Qg是指： 为导通MOS而注入到栅极电极的电荷量。也称为栅极总电荷，单位为库仑(C) ​ 总栅极电荷值较大，则导通MOS所需的电容充电时间变长，开关损耗增加

09+10. SOA安全使用晶体管的选定方法 判断流程 1. 测定实际的电流、电压波形 ​ 用示波器确定晶体管上的电压电流，需要全部满足规格书上记载的额定值，特别应该确认下列项目 晶体管的种类 电压 电流

06. MOSFET特性简单版，强调温度特性 MOSFET特性 MOSFET寄生电容模型图 image-20240622222006942 符号 算式 含义 Ciss Cgs+Cgd

0.7 MOSFET导通电阻特性 啥是导通电阻 ​ MOS管工作时，漏极跟源极之间的阻值称为导通电阻（RDS(ON)) ​ 数值越小，工作时损耗（功率损耗）越小。 关于导通电阻的电气特性 ​ 晶体管的消耗功率用集电极饱和电压（V

【LLC变换器设计基础】第三节 ZCS|并联谐振|LLC的谐振分析|Q品质因数的正解 1.ZCS的理解 ​ 对于MOSFET而言，ZCS用的比较少，ZVS会比较多，那么ZCS会用在IGBT里面比较多，IGBT在关断的时候有个拖尾的现

初识图纸 image-20240816082415415 φ：直径 R：半径 M50：普通外螺纹；M代表的是普通螺纹，50代表螺纹的大径，也就是公称直径 螺纹式双线，这个外螺纹，螺纹的牙顶线就是大径粗直线，里面

04+05.数字晶体管的原理 image-20240621222247268 这就是数字晶体管，里面加了俩内置电阻，（TR指的是晶体管，中间是集电极B，下面是发射极E，上面是集电极C） 饱和条件 要使晶体管达到饱